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codice articolo del costruttore | 784771331 |
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Numero di parte futuro | FT-784771331 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-PDA |
784771331 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Nickel Zinc Ferrite (NiZn) |
Induttanza | 330µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 800mA |
Corrente - Saturazione | 900mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 594 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 3.3MHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1280 |
Dimensione / Dimensione | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.248" (6.30mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
784771331 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 784771331-FT |
110001101
Wurth Elektronik iBE
7847730
Wurth Electronics Inc.
784773018
Wurth Electronics Inc.
784773022
Wurth Electronics Inc.
784773033
Wurth Electronics Inc.
784773039
Wurth Electronics Inc.
784773047
Wurth Electronics Inc.
784773056
Wurth Electronics Inc.
784773068
Wurth Electronics Inc.
784773082
Wurth Electronics Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel