casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Array, Signal Transformers / 7448990470
codice articolo del costruttore | 7448990470 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-7448990470 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-MCRI |
7448990470 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di bobine | 2 |
Induttanza - Connesso in parallelo | 47µH |
Induttanza - Serie collegata | - |
Tolleranza | ±20% |
Corrente nominale - Parallela | 2.3A |
Corrente nominale - Serie | - |
Saturazione corrente - Parallela | 6A |
Saturazione corrente - Serie | - |
Resistenza DC (DCR) - Parallela | 240 mOhm |
DC Resistance (DCR) - Serie | - |
Schermatura | Shielded |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Dimensione / Dimensione | 0.453" L x 0.394" W (11.50mm x 10.00mm) |
Altezza | 0.354" (9.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7448990470 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7448990470-FT |
74485540440
Wurth Electronics Inc.
74485540350
Wurth Electronics Inc.
74485540080
Wurth Electronics Inc.
74485540120
Wurth Electronics Inc.
74485540170
Wurth Electronics Inc.
74485540220
Wurth Electronics Inc.
74485540290
Wurth Electronics Inc.
74489440100
Wurth Electronics Inc.
744894300033
Wurth Electronics Inc.
744894300068
Wurth Electronics Inc.
M1A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGSMD4K3F40I4N
Intel
EP2AGX95DF25I5
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
A40MX02-3PQG100I
Microsemi Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel
EP4SGX180FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3N
Intel