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codice articolo del costruttore | 744878004 |
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Numero di parte futuro | FT-744878004 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-DD |
744878004 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di bobine | 2 |
Induttanza - Connesso in parallelo | 4.7µH |
Induttanza - Serie collegata | 18.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Corrente nominale - Parallela | 1.3A |
Corrente nominale - Serie | 650mA |
Saturazione corrente - Parallela | 3A |
Saturazione corrente - Serie | 1.5A |
Resistenza DC (DCR) - Parallela | 75 mOhm Max |
DC Resistance (DCR) - Serie | - |
Schermatura | Shielded |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Dimensione / Dimensione | 0.287" L x 0.287" W (7.30mm x 7.30mm) |
Altezza | 0.157" (4.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
744878004 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 744878004-FT |
74489440120
Wurth Electronics Inc.
74489440150
Wurth Electronics Inc.
74489440180
Wurth Electronics Inc.
74489440220
Wurth Electronics Inc.
76889440047
Wurth Electronics Inc.
76889440100
Wurth Electronics Inc.
76889440150
Wurth Electronics Inc.
76889440220
Wurth Electronics Inc.
76889440330
Wurth Electronics Inc.
76889430100
Wurth Electronics Inc.
XCS20XL-4TQ144I
Xilinx Inc.
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
EP2AGX65DF25I3N
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
XC5VLX30T-1FFG665I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4PC84C
Xilinx Inc.
5CEFA7F31C6N
Intel