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codice articolo del costruttore | 744741101 |
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Numero di parte futuro | FT-744741101 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-TI |
744741101 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | 900mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 9.4MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.335" Dia (8.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.236" (6.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
744741101 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 744741101-FT |
74477125
Wurth Electronics Inc.
744771270
Wurth Electronics Inc.
74477128
Wurth Electronics Inc.
744771006
Wurth Electronics Inc.
7447709821
Wurth Electronics Inc.
7447709681
Wurth Electronics Inc.
7447709471
Wurth Electronics Inc.
7447709470
Wurth Electronics Inc.
7447709390
Wurth Electronics Inc.
7447709331
Wurth Electronics Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel