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codice articolo del costruttore | 7443082017 |
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Numero di parte futuro | FT-7443082017 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-HCM |
7443082017 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Manganese Zinc Ferrite |
Induttanza | 170nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 60A |
Corrente - Saturazione | 68A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 0.18 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1088 |
Dimensione / Dimensione | 0.402" L x 0.319" W (10.20mm x 8.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7443082017 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7443082017-FT |
7843330100
Wurth Electronics Inc.
7843330180
Wurth Electronics Inc.
7843330330
Wurth Electronics Inc.
7843330390
Wurth Electronics Inc.
7843330560
Wurth Electronics Inc.
7843330820
Wurth Electronics Inc.
744912127
Wurth Electronics Inc.
744912133
Wurth Electronics Inc.
744910016
Wurth Electronics Inc.
744910025
Wurth Electronics Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel