casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V67603S150BGGI
codice articolo del costruttore | 71V67603S150BGGI |
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Numero di parte futuro | FT-71V67603S150BGGI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V67603S150BGGI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 150MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.8ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V67603S150BGGI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V67603S150BGGI-FT |
71V35761SA183BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA183BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA183BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA183BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA183BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA200BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA200BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3577S75BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel