casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V67603S133BQGI
codice articolo del costruttore | 71V67603S133BQGI |
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Numero di parte futuro | FT-71V67603S133BQGI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V67603S133BQGI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 4.2ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-CABGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V67603S133BQGI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V67603S133BQGI-FT |
71V3556SA100BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel