casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V67603S133BQ8
codice articolo del costruttore | 71V67603S133BQ8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V67603S133BQ8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V67603S133BQ8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 4.2ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-CABGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V67603S133BQ8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V67603S133BQ8-FT |
IS61LPS51236B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
71V3556SA100BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel