casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V65803S133BQG8
codice articolo del costruttore | 71V65803S133BQG8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V65803S133BQG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V65803S133BQG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous ZBT |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 4.2ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-CABGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V65803S133BQG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V65803S133BQG8-FT |
71V65603S150BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3559S80BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3559S85BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S85BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S150BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67803S133BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S133BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67903S85BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IS61NLP51236B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NLP102418B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc