casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V65703S80BQ
codice articolo del costruttore | 71V65703S80BQ |
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Numero di parte futuro | FT-71V65703S80BQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V65703S80BQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous ZBT |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 8ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-CABGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V65703S80BQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V65703S80BQ-FT |
X24C44S
Renesas Electronics America Inc.
X24C44SI
Renesas Electronics America Inc.
6116SA55TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
NMC27C16BQ200
ON Semiconductor
NMC27C16BQE150
ON Semiconductor
NMC27C32BQ200
ON Semiconductor
NMC27C32BQE200
ON Semiconductor
71V35761SA166BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V35761SA166BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S150BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel