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71V416S10YG Image

IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S10YG

Numero parte MFG
71V416S10YG
quantità disponibile
86860 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.691376
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Data di spedizione
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fabbricante
IDT, Integrated Device Technology Inc
Breve descrizione
- IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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71V416S10YG specificazioni

codice articolo del costruttore 71V416S10YG
Numero di parte futuro FT-71V416S10YG
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
71V416S10YG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria SRAM
Tecnologia SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 10ns
Tempo di accesso 10ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 3V ~ 3.6V
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 44-SOJ
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
71V416S10YG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio 71V416S10YG-FT

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