casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V416S10BE8
codice articolo del costruttore | 71V416S10BE8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V416S10BE8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416S10BE8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-CABGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S10BE8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V416S10BE8-FT |
7026S20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25J
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7026S25J8
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7026S35J
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7026S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J
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