casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V416L12YG
codice articolo del costruttore | 71V416L12YG |
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Numero di parte futuro | FT-71V416L12YG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416L12YG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L12YG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V416L12YG-FT |
IDT71124S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S20TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7006L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel