casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V35761S200BG8
codice articolo del costruttore | 71V35761S200BG8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V35761S200BG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V35761S200BG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V35761S200BG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V35761S200BG8-FT |
71V67703S80BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67803S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel