casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V016SA20YG8
codice articolo del costruttore | 71V016SA20YG8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V016SA20YG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V016SA20YG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 20ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V016SA20YG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V016SA20YG8-FT |
71V016SA12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143LA20JG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7133SA55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S20TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel