casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71T75602S166BGG
codice articolo del costruttore | 71T75602S166BGG |
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Numero di parte futuro | FT-71T75602S166BGG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71T75602S166BGG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous ZBT |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.375V ~ 2.625V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71T75602S166BGG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71T75602S166BGG-FT |
71V65603S150BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S150BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S150BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S75BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S75BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S75BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S75BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S80BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S80BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S80BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel