casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71T75602S150BGG8
codice articolo del costruttore | 71T75602S150BGG8 |
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Numero di parte futuro | FT-71T75602S150BGG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71T75602S150BGG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous ZBT |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | 150MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.8ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.375V ~ 2.625V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71T75602S150BGG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71T75602S150BGG8-FT |
S25FL256SAGMFV000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFV003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFVG01
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFVG03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFVR01
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGMFVR03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SDPMFIG00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SDPMFIG01
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel