casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7164S70DB
codice articolo del costruttore | 7164S70DB |
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Numero di parte futuro | FT-7164S70DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164S70DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S70DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7164S70DB-FT |
IDT71256SA15PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel