casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7164S35DB
codice articolo del costruttore | 7164S35DB |
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Numero di parte futuro | FT-7164S35DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164S35DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S35DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7164S35DB-FT |
IDT71256SA20PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA25PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel