casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7164L85DB
codice articolo del costruttore | 7164L85DB |
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Numero di parte futuro | FT-7164L85DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164L85DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 85ns |
Tempo di accesso | 85ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164L85DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7164L85DB-FT |
IDT71256SA12PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel