casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7164L100DB
codice articolo del costruttore | 7164L100DB |
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Numero di parte futuro | FT-7164L100DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164L100DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164L100DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7164L100DB-FT |
71V256SA15PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel