casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7143LA90GB
codice articolo del costruttore | 7143LA90GB |
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Numero di parte futuro | FT-7143LA90GB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7143LA90GB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 32Kb (2K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 90ns |
Tempo di accesso | 90ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 68-BPGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 68-PGA (29.46x29.46) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7143LA90GB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7143LA90GB-FT |
7130LA35CB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130LA35FB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130LA35L48B
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130LA55C
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130LA55L48B
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130SA100C
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130SA100CB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130SA100L48B
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130SA25L48B
IDT, Integrated Device Technology Inc
7130SA35C
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel