casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7130LA100J8
codice articolo del costruttore | 7130LA100J8 |
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Numero di parte futuro | FT-7130LA100J8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7130LA100J8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7130LA100J8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7130LA100J8-FT |
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GR3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel