casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71256S25DB
codice articolo del costruttore | 71256S25DB |
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Numero di parte futuro | FT-71256S25DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71256S25DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256S25DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71256S25DB-FT |
71256SA25PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel