casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71256S100DB
codice articolo del costruttore | 71256S100DB |
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Numero di parte futuro | FT-71256S100DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71256S100DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256S100DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71256S100DB-FT |
71256SA20PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel