casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71256L100DB
codice articolo del costruttore | 71256L100DB |
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Numero di parte futuro | FT-71256L100DB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71256L100DB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CerDip |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256L100DB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71256L100DB-FT |
71256SA15PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel