casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71024S12TYG
codice articolo del costruttore | 71024S12TYG |
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Numero di parte futuro | FT-71024S12TYG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71024S12TYG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71024S12TYG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71024S12TYG-FT |
IDT71V256SA10PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA12PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA12PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA12PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA12PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel