casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V659S15DR
codice articolo del costruttore | 70V659S15DR |
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Numero di parte futuro | FT-70V659S15DR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V659S15DR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S15DR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V659S15DR-FT |
70V7319S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7339S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7339S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7339S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7339S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7519S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel