casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V659S12BCGI
codice articolo del costruttore | 70V659S12BCGI |
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Numero di parte futuro | FT-70V659S12BCGI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V659S12BCGI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S12BCGI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V659S12BCGI-FT |
SM662GXC-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662GXC-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662GXD-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662GXD-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662GXE-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PEA-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PEB-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PEB-BDS
Silicon Motion, Inc.
SM662PEC-BD
Silicon Motion, Inc.
SM662PEC-BDS
Silicon Motion, Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel