casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V659S10BF8
codice articolo del costruttore | 70V659S10BF8 |
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Numero di parte futuro | FT-70V659S10BF8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V659S10BF8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-CABGA (15x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S10BF8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V659S10BF8-FT |
70V3389S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S4BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S4BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BF
IDT, Integrated Device Technology Inc