casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V658S12DRI
codice articolo del costruttore | 70V658S12DRI |
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Numero di parte futuro | FT-70V658S12DRI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V658S12DRI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 2Mb (64K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V658S12DRI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V658S12DRI-FT |
70V658S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7319S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel