casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V657S10BC8
codice articolo del costruttore | 70V657S10BC8 |
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Numero di parte futuro | FT-70V657S10BC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V657S10BC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V657S10BC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V657S10BC8-FT |
70T3589S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc