casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V639S12BFI
codice articolo del costruttore | 70V639S12BFI |
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Numero di parte futuro | FT-70V639S12BFI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V639S12BFI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 2.25Mb (128K x 18) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-CABGA (15x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V639S12BFI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V639S12BFI-FT |
70V658S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S15BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S10BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S10BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S15BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel