casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V631S10BCG
codice articolo del costruttore | 70V631S10BCG |
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Numero di parte futuro | FT-70V631S10BCG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V631S10BCG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (256K x 18) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V631S10BCG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V631S10BCG-FT |
70T3539MS133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3539MS166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3539MS166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3539MS166BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel