casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V3599S133DRI
codice articolo del costruttore | 70V3599S133DRI |
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Numero di parte futuro | FT-70V3599S133DRI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3599S133DRI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 4.2ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3599S133DRI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V3599S133DRI-FT |
70V657S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel