casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V3579S4DRG
codice articolo del costruttore | 70V3579S4DRG |
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Numero di parte futuro | FT-70V3579S4DRG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3579S4DRG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 4.2ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3579S4DRG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V3579S4DRG-FT |
AS7C31025B-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AT45DQ161-CCUD-T
Adesto Technologies
AT25DF321A-CCU
Adesto Technologies
AT25DF321A-CCU-T
Adesto Technologies
AT45DB161E-CCUF-T
Adesto Technologies
AT45DB321E-CCUF-T
Adesto Technologies
AT45DB641E-CCUN-T
Adesto Technologies
AT45DB641E-CCUN2B-T
Adesto Technologies
AT45DQ321-CCUD-T
Adesto Technologies
AT45DQ321-CCUF-T
Adesto Technologies
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel