casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V06S45J8
codice articolo del costruttore | 70V06S45J8 |
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Numero di parte futuro | FT-70V06S45J8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V06S45J8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 68-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 68-PLCC (24.21x24.21) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V06S45J8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V06S45J8-FT |
709279L9PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709279S12PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
709279S12PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709289L12PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
709289L12PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709289L6PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
709289L6PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709379L7PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709389L12PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
709389L12PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel