casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V06S35J
codice articolo del costruttore | 70V06S35J |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-70V06S35J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V06S35J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 68-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 68-PLCC (24.21x24.21) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V06S35J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V06S35J-FT |
709279L12PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709279L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
709279L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709279L9PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709279S12PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
709279S12PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709289L12PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
709289L12PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
709289L6PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
709289L6PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel