casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T659S12DR
codice articolo del costruttore | 70T659S12DR |
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Numero di parte futuro | FT-70T659S12DR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T659S12DR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T659S12DR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T659S12DR-FT |
70V631S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel