casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T659S10DR
codice articolo del costruttore | 70T659S10DR |
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Numero di parte futuro | FT-70T659S10DR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T659S10DR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T659S10DR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T659S10DR-FT |
70V631S12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc