casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T651S15DR
codice articolo del costruttore | 70T651S15DR |
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Numero di parte futuro | FT-70T651S15DR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T651S15DR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T651S15DR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T651S15DR-FT |
70V631S10BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S15BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S10BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel