casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T3519S166DR
codice articolo del costruttore | 70T3519S166DR |
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Numero di parte futuro | FT-70T3519S166DR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T3519S166DR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.6ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3519S166DR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T3519S166DR-FT |
70V3579S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S166BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V631S10BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel