casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T3519S133DR
codice articolo del costruttore | 70T3519S133DR |
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Numero di parte futuro | FT-70T3519S133DR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T3519S133DR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 4.2ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-BFQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3519S133DR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T3519S133DR-FT |
70V3579S5BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S6BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S166BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel