casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70P259L65BYGI
codice articolo del costruttore | 70P259L65BYGI |
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Numero di parte futuro | FT-70P259L65BYGI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70P259L65BYGI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 128Kb (8K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 65ns |
Tempo di accesso | 65ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 100-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-CABGA (6x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70P259L65BYGI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70P259L65BYGI-FT |
7026L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J/S2703
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55JI/2703
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55JI8/2703
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S20JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S20JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel