casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7014S25J
codice articolo del costruttore | 7014S25J |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-7014S25J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7014S25J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 36Kb (4K x 9) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7014S25J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7014S25J-FT |
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel