casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70121S35J8
codice articolo del costruttore | 70121S35J8 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-70121S35J8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70121S35J8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 18Kb (2K x 9) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70121S35J8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70121S35J8-FT |
M34E02-FMB1TG
STMicroelectronics
M93C66-RMB6TG
STMicroelectronics
M95020-RMB6TG
STMicroelectronics
M95040-RMB6TG
STMicroelectronics
M95080-RMB6TG
STMicroelectronics
M95128-RMB6TG
STMicroelectronics
M95320-RMB6TG
STMicroelectronics
M95640-RMB6TG
STMicroelectronics
M36DR432AD10ZA6T
STMicroelectronics
M36W432T85ZA6T
STMicroelectronics
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel