casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70121L35J
codice articolo del costruttore | 70121L35J |
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Numero di parte futuro | FT-70121L35J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70121L35J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 18Kb (2K x 9) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70121L35J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70121L35J-FT |
M24C08-RMB6TG
STMicroelectronics
M24C16-FMB5TG
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M24C16-RMB6TG
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M24C32-RMB6TG
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M24C64-FMB6TG
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M24C64-RMB6TG
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M34C02-RMB6TG
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M93C66-RMB6TG
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M95020-RMB6TG
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XC2VP4-5FGG256I
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XC3S200-5FT256C
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XC7A100T-L2FTG256E
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XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
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A54SX16-1VQG100I
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5SGXEA5K2F35I3N
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5SGXEA7K2F35C2
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EPF10K100EBC356-2
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