casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7006S35J
codice articolo del costruttore | 7006S35J |
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Numero di parte futuro | FT-7006S35J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7006S35J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 68-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 68-PLCC (24.21x24.21) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7006S35J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7006S35J-FT |
7005L20JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7005L35PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel