casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 6A05GHA0G
codice articolo del costruttore | 6A05GHA0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-6A05GHA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
6A05GHA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R6, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-6 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A05GHA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6A05GHA0G-FT |
1N3272R
Powerex Inc.
1N3273
Powerex Inc.
1N3273R
Powerex Inc.
1N3274
Powerex Inc.
1N3274R
Powerex Inc.
1N3275
Powerex Inc.
1N3275R
Powerex Inc.
1N3276
Powerex Inc.
1N3276R
Powerex Inc.
1N3612
Semtech Corporation
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.