casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 6585_2N4209
codice articolo del costruttore | 6585_2N4209 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-6585_2N4209 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6585_2N4209 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 850MHz |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6585_2N4209 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6585_2N4209-FT |
2N930UB
Microsemi Corporation
2PB1219AR/ZLX
NXP USA Inc.
2PB710ASL/ZLR
NXP USA Inc.
2PC4081R/ZLX
NXP USA Inc.
2PC4081S/ZLX
NXP USA Inc.
2PD1820AR/ZLX
NXP USA Inc.
2SA1013-O,T6MIBF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1371D-AE
ON Semiconductor
2SA1371E-AE
ON Semiconductor
2SA1425-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX25-2FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG676C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FF1517I
Xilinx Inc.
EP20K600CB672C8N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
M1AGL1000V5-CS281I
Microsemi Corporation
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I5N
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel